本篇文章給大家談談內存顆粒怎麽看,以及內存顆粒怎麽看批次對應的知識點，希望對各位有所幫助，不要忘了收藏本站！
內容導航：- 如何辨別內存條顆粒。
- 內存顆粒怎麽看
- 如何檢測內存顆粒？
- 內存顆粒怎麽看
- 怎麽看內存條顆粒上參數看內存大小
- 如何辨別內存條顆粒。
Q1：如何辨別內存條顆粒。
可以的，看著顆粒上的編號，到顆粒的官方網站上對著編號的意思就能知道實際顆粒的容量大小了。當然，如果你本身就明白顆粒編號上的意思。那就能判斷了。
Q2：內存顆粒怎麽看
金士頓可以說是世界第一大內存生產廠商，其使用的內存顆粒，既有金士頓自己研發的產品顆粒，更多的則是采用其他廠商生產的內存顆粒，如今市麵上營銷最多用到的就是海力士顆粒和鎂光顆粒的。
金士頓廠家生產的內存條所使用的常見內存顆粒如下：
1.⠂ ⠠MOSEL⠠⠨Œ‚矽顆粒
2.⠂ ⠠Winbond⠠⠨凉뀀
3.⠂ ⠠Toshiba⠠⠦—妜증𑨊
4.⠂ ⠠Samsung⠠⠤𘉦˜Ÿ顆粒
5.⠂ ⠠Infineon⠠⠨‹𑩣›淩顆粒
6.⠂ ⠠PSC⠠⠥Š›晶顆粒
7.⠂ ⠠NANYA⠠⠥—亞顆粒
8.⠂ ⠠HYNIX⠠⠠現代顆粒
9.⠂ ⠠Hynix⠠⠠海力士顆粒
10. ELPIDA⠠⠧ˆ…達顆粒
11. Micron⠠⠠鎂光
內存條由芯片、PCB電路板以及一些電阻、電容組成，外觀標識較少，大多沒有正式的外包裝，普通消費者單從外觀上很難判斷其優劣，在選購時就更應該留神。較常見的內存造假方法是用劣質貨冒充名牌產品。內存芯片出廠需經前工序、後工序和檢驗工序三個步驟。
擴展資料：
1.⠂ ⠠金士頓的高頻內存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內存等，其分屬ValueRam係列（經濟型）和HyperX係列。
2.⠂ ⠠金士頓的ValueRam係列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而金士頓的HyperX係列其超頻性也不錯，金士頓 500MHz的HyperX超頻內存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁製散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。
3.⠂ ⠠雖然金士頓和KingMax、Apacer這類品牌內存都使用的自己生產的顆粒，假冒產品較少。但是還有手段高超的奸商“造”出了假貨，最近在市場就上出現了仿冒的金士頓內存，其使用的是三星的原廠內存進行仿冒的。不過假冒內存條的識別方法也很簡單，隻需要注意在PCB板上印有SUNSAMG的字樣（由於工藝問題造假者還不太容易將其去掉）我們在購買的時候也可以看產品是否具有代理商提供的防偽標簽，並且可以撥打防偽電話辨別真偽。
Q3：如何檢測內存顆粒？
01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF
12345678
閃動的一排測試數字代表內存8顆粒的測試情況。
從左至右，0-7代表第一區域，8-F代表第二區域;0-7代表第三區域,8-F代表第四區域;……依次代表內存條的8顆顆粒。
⒈DDR8位與16位的單麵測法:
⑴. 0-7(1 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第1顆粒已經損壞
⑵. 8-F(2 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第2顆粒已經損壞
⑶. 0-7(3 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第3顆粒已經損壞
⑷. 8-F(4 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第4顆粒已經損壞
⑸. 0-7(5 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第5顆粒已經損壞
⑹. 8-F(6 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第6顆粒已經損壞
⑺. 0-7(7 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第7顆粒已經損壞
⑻. 8-F(8 )區域如果出現亂碼,代表這根DDR內存條的第8顆粒已經損壞
注意:DDR的顆粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8
⒉如果你是128M的雙麵DDR內存,如以上顯示界麵圖:
1-16M ----------------------------------------------------------------------------
16-32M ------------------------------------------------------------------
32-48M --------------------------------------------------------------------------------------------
48-64M-----------------------------------------------------------------------------------------------
從1M到64M的上麵的4根虛線上出現亂碼的話,說明這根內存的的第一麵的顆粒有問題(判斷哪個顆粒的好壞按照以上的說明)
64-80M -------------------------------------------------------------------------------------------------
80-96M ------------------------------------------------------------------------------------------------
96-112M----------------------------------------------------------------------------------------------
112-128M-----------------------------------------------------------------------------------------------
從64M到128M的上麵的4根虛線上出現亂碼的話,說明這根內存的的第二麵的顆粒有問題(判斷哪個顆粒的好壞按照以上的說明)
意:在內存的PCB板上的兩邊標著1與92的代表第一麵，93與184的代表第二麵。1-128M的8根虛線是用來區分兩麵區域的作用.
⒊SD的8位與16位的單麵測法:
⑴. 0-7(1)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第8顆粒已經損壞
⑵. 8-F(2)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第4顆粒已經損壞
⑶. 0-7(3)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第7顆粒已經損壞
⑷. 8-F(4)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第3顆粒已經損壞
⑸. 0-7(5)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第6顆粒已經損壞
⑹. 8-F(6)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第2顆粒已經損壞
⑺. 0-7(7)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第5顆粒已經損壞
⑻. 8-F(8)區域如果出現亂碼,代表這根SDR內存條的第1顆粒已經損壞
（注： PCB板上從1到84為第一麵，顆粒的排列順序從1到84為8-7-6-5-4-3-2-1，切記注意）
Q4：內存顆粒怎麽看
內存條是由電路板（PCB板） 內存顆粒SPD芯片（有八針因腳的黑色芯片，主要是用來紀錄內存的工作電壓 工作頻率CLS時序 生產廠家等信息的芯片） 貼片式電容和金手指組成的，內存條上偶數個大的方塊形狀的芯片就是內存顆粒，內存一般由8個（單麵）和16個（雙麵）顆粒組成的。內存廠商又分為晶圓廠商（專業製造內存顆粒）和模組廠商（專業采購顆粒組裝和生產成品及測試等）。
為了防止買到被打磨過的內存，我們在選購時可以通過以下幾點來判斷。
第一，看內存顆粒上的編碼是否清晰銳利，各顆粒上的編號是否一致。再用力搓一下編碼看是否掉色脫落.
第二，選用優質PCB板的內存。PCB板作為內存的根基，購買時應該選擇做工精良、用料厚實的產品，同時也需要選擇金手指較厚實的內存。
第三，不可忽視的SPD(Serial Presence Detect串行偵測)芯片。SPD是一顆8Pin的小芯片，一般是1個容量為256字節(2Kbit)的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫可編程隻讀存儲器芯片)。SPD
的作用是記錄內存的速度、容量、電壓等參數信息，當開機時PC的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息，如果沒有
SPD或者其中的信息錯誤，則會出現死機、不兼容等現象。因此，選購內存時一定不能選擇缺少SPD芯片的產品。
第四，用料和做工同樣重要。有了優質的顆粒、PCB板和SPD芯片後，將他們焊接在一起的製作工藝也顯得十分重要。不合格的焊料和焊接技術會產生大量的“虛焊”，一般肉眼看不出有任何不妥，但在使用一段時間後便會逐漸氧化接著脫焊。因此除了選購知名品牌的內存外，選擇售後服務完善的品牌也非常重要。
Q5：怎麽看內存條顆粒上參數看內存大小
這些都是垃圾，這些軟件都檢測不出來真實的，例如內存隻要刷過cas芯片這些軟件根本檢測不出來，即使最新版本的都是這個樣子。你可以把內存拿下來看顆粒。內存顆粒我以現代的內存顆粒編號為例。頭2位英文位使用規則編號，3位4位為內存速度的編號。後麵5位是內存位數。然後6位7位是內存大小編號。例如56就代表整條內存是用於現代256標準內存的顆粒單麵顆粒。28就是128的
1g的就是表示位10。記住不要相信軟件否則js可以隨便蒙人。因為我曾經就做過js
請參考
Q6：如何辨別內存條顆粒。
Samsung內存
具體含義解釋：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存 條的容量是128Mbits（兆數位）㗱6片/8bits=256MB（兆字節）。
注：“bit”為“數位”，“B”即字節“byte”，一個字節為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC 內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數 據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判 定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
ⷢ€œ8”是內存條芯片結構，代表改內存由8顆芯片構成。(4=4顆芯片；8=8顆芯片；16=16顆芯片；32=32顆芯片)
ⷢ€œ2”指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
ⷢ€œ2”代表接口類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
ⷢ€œB”是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
ⷨƒ𝦺消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。
ⷥ㝩ឥž‹用“T”表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
ⷥ㝥 †棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。
ⷥ㝥ŽŸ料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。
ⷢ€œD43”表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
ⷥ𗥤𝜦𘀨ˆ쨢맜略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是現代的產品
2、內存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
3、處理工藝及工作電壓：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係
7、I/O界麵：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、內存芯片封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
現代的mBGA封裝的顆粒
Infineon（英飛淩）
Infineon 是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒隻有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為 256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存 顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）㗱6片/8=256MB（兆字節）。
1條Ramaxel的內存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）㗸片/8=128MB（兆字節）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax 內存都是采用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到采用Kingmax顆粒製作的內存條全 是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量係列的內存顆粒型號列表出來。
容量備注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間㗴位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間㗸位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間㗴位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間㗸位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間㗱6位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一條Kingmax內存條，采用16片KSV884T4A0A-7A的內存顆粒製造，其容量計算為：64Mbits（兆數位）㗱6片/8=128MB（兆字節）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）㗸位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條MicronDDR內存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M㗴bit㗱6片/8=256MB（兆字節）。
Winbond（華邦）
含義說明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDRRAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台灣茂矽）
台 灣茂矽科技是台灣一家較大的內存芯片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示 單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位T45可知顆粒速度為4.5ns
NANYA（南亞）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亞科技是全球第六大內存芯片廠商，也是去年台灣內存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）
V-DATA（香港威剛）、A-DATA（台灣威剛）、VT
內存顆粒編號為VDD8608A8A-6B H0327，是6納秒的顆粒，單麵8片顆粒共256M容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周
A－DATA
這是A－DATA的DDR500
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